2SD2096T114E Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
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2SD2096T114E
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V Leistung - max 1.8W Frequenz - Übergang 8MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall HRT Lieferantengerätepaket HRT |