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2SD2096T114E Datenblatt

2SD2096T114E Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: 2SD2096T114E
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2SD2096T114E

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Leistung - max

1.8W

Frequenz - Übergang

8MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

HRT

Lieferantengerätepaket

HRT