2SB817C-1E Datenblatt
2SB817C-1E Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
2SB817C-1E
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 5V Leistung - max 120W Frequenz - Übergang 10MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P-3L |
