2SA1013-O Datenblatt
2SA1013-O Datenblatt
Total Pages: 5
Größe: 178,57 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
Website: http://www.toshiba.com/taec/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
2SA1013-O,T6MIBF(J
|
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 200mA, 5V Leistung - max 900mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket TO-92L |
