2ED020I12-F Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
2ED020I12-F
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 0V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1A, 2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 1200V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 18 Leads Lieferantengerätepaket PG-DSO-18-2 |
